二氧化锡和其掺杂都具有正方金红石结构（tetragonal rutile），如图所示。红色为O，黑色为Sn，SnO2由两个Sn和四个O原子组成，晶格常数为a=b=0.4737nm，c=0.3186nm，c/a=0.637。O^2-=0.140nm，Sn^4+=0.071nm。二氧化锡是n型宽能隙半导体，禁带宽度为3.5-4.0eV，可见光及红外透射率为80%，等离子边位于3.2μm处，折射率>2，消光系数趋于0.SnO2附着力强，与玻璃和陶瓷的结合力可达20MPa，莫氏硬度为7—8，化学稳定性好，可经受化学刻蚀。二氧化锡作为导电膜，其载流子主要来自晶体缺陷，即O空位和掺杂杂质提供的电子。
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